MT53E128M32D2DS-053 vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT53E128M32D2DS-053 от Micron Technology и MT53D512M32D2DS-053 WT:D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT53E128M32D2DS-053 - 4Gb LPDDR4/LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E128M32D2DS-053 ✓ АктивенMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT53E128M32D2DS-053 | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $3,55 | $6,05 |
| Тип памяти | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 128M x 32 | 512M x 32 |
| Скорость передачи данных | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) | — |
| Speed Grade | -053 | -053 |
| Корпус | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | 0.6 V | — |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | 1.10 V | — |
| VDD | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Configuration | DDP (double-die package) | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Variant | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available | — |
| Статус RoHS | Compliant | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] | Auto refresh and self refresh |
| Access Type | Synchronous, bank-group burst | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Размер памяти | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Особенности | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Разрядность шины данных | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Self-Refresh | — | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Напряжение питания | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |